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全球首款7nm FinFET制程芯片将在明年完成:降低功耗 缩小体积

全球首款7nm FinFET制程芯片将在明年完成:降低功耗 缩小体积 台积电与赛灵思(Xilinx)、安谋国际(ARM)、益华电脑(Cadence Design Systems)共同宣布联手打造全球首款基于7纳米FinFET制程的一款测试芯片。

全球首款7nm FinFET制程芯片将在明年完成:降低功耗 缩小体积

这款芯片的定位是一款“缓存一致性互联加速器测试芯片”,命名为CCIX,预计2018年第一季度完成流片,预计2018年下半年开始出货。

CCIX是由于电力与空间的局限,资料中心各种加速应用的需求也持续攀升的背景下产生的,像是大数据分析、搜寻、机器学习(Machine Learning)、无线4G/5G网路连线等,全程在记忆体内运行的资料库做处理、影像分析、网路处理等应用,都能透过加速器引擎受益,使资料在各系统元件间无缝移转。

因此,无论资料存放在哪里,CCIX都能在各元件端顺利存取与处理资料,不会被资料存放的位置限制限制住,也不需要复杂的程式开发环境。

另外值得注意的是7nm制程的应用将会使芯片的功耗降低60%、核心面积缩小70%,也就意味着未来基于此制程的设备将会更加小巧、续航能力也可以大幅提升。

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