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拿下30万平土地:台积电年底开建3nm晶圆工厂

在三星上周纸面预览了其3nm工艺后,台积电也毫不示弱,业内人士称,台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地(30万平米),随后启动3nm晶圆厂的建设。

目前,台积电的12寸超大晶圆厂有六座,分别是总部及晶圆十二A厂、研发中心及十二B厂、晶圆十四厂、晶圆十五厂、晶圆十六厂(南京)和晶圆十八厂。

在7nm世代取得大捷后,台积电在上周的财报会议上表示,5nm的进度比7nm更顺利,产能也会提至新高。

关于3nm的技术细节,台积电尚未披露。至少三星方面称,FinFET(鳍式场效晶体管,华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明)会在4nm LPE之后走到尽头。他们提出的新解决方案是GAA MCFET(多桥通道FET),且有3 GAAE(GAA Early)和3 GAAP(GAA Plus)两代。

2010年,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡正明发明的FinFET和FD-SOI工艺得以使摩尔定律延续传奇。

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