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抢先台积电 IBM首发2nm工艺芯片:最快2024年量产

这两天IBM首发2nm工艺芯片的消息刷屏了,在当前的半导体环境下,这件事意义确实重大,因为最近几年领导先进工艺的是台积电,IBM首发2nm工艺给美国公司赢回了面子。

IBM 2nm工艺的基本情况昨天都报道过了,使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/mm2,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/mm2要高,指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。

不过仔细算算的话,IBM 2nm工艺的晶体管密度优势没有多大,最终比台积电3nm工艺领先多少还不好说,毕竟后者也有2nm GAA工艺没发。

性能方面,IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。

还有一些细节,那就是IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈,高度75nm,宽度40nm,栅极长12nm,纳米片高度5nm——里面没有一个参数是2nm的,因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。

在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下,IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的,美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位,IBM的2nm工艺给了信心。

不过IBM量产2nm工艺的难度也不小,因为现在这个技术还是实验室生产的,IBM没有大规模生产的条件了,这次2nm工艺还有三星、Intel的参与,后面两家有可能吸纳2nm工艺技术(至少是部分)。

根据IBM的说法,2nm工艺预计在2024年量产,这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。

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