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三星宣布3nm芯片成功流片 规模化量产时间节点临近

6月29日晚间消息,据外媒报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。

报道称,三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,而是采用GAA的结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技术性能上,GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。此前,三星曾在2020年完成3nm工艺的开发,但开发成功并不意味着,不过那并不意味着三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片,三星3nm芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。

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