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SK海力士:正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机

本月22日,韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。

与会期间,SK海力士CEO Seok-hee Lee(李锡熙)和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。

关于EUV光刻机进厂可能延期的问题,李锡熙表示,正与美方合作,进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用,中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。

据悉,SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片,也就是第四代内存。无锡工厂同样计划应用相关技术,目前正寻求多种途径克服困难,毕竟它是一家韩国企业。

资料显示,无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15%。

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