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兆易创新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

【TechWeb】8月19日消息,兆易创新今日宣布,推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。

 

随着物联网技术的发展,新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求,这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求,希望进一步提升产品的续航能力。从系统设计层面来看,一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作,这对于主控而言,将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

应此需求,兆易创新推出了GD25UF产品系列,该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V,具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量选择,能够满足智能设备所需的代码存储要求。

在读写性能方面

GD25UF最高时钟频率STR 120MHz,DTR 60MHz,拥有10万次的擦写寿命,数据有效保存期限可达20年。

在安全性方面

该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果,为应用带来高安全保障。

同时,为进一步满足低功耗的需求,GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下,器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA,擦写电流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供电的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同电流情况下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同频率下的功耗降低了70%,有效延长了设备的续航时间。

另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围,可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装,全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

目前,兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品,更多容量产品将陆续推出。

标签: 兆易创新

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