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4纳米晶圆良率低 三星Galaxy S23将主要使用高通应用处理器

集微网消息,据外媒报道,三星将在其即将推出的Galaxy S23系列智能手机上主要使用高通Snapdragon 8 Gen 2应用处理器(AP)。消息人士称,因三星4纳米晶圆代工良率及性能未达预期,其Exynos平台将使用5纳米节点制造。

据了解,三星曾试图通过提供5纳米和4纳米节点来扩大其Exynos平台的市场份额。但到目前为止,4纳米节点版本的良率非常低,其性能和发热问题不达标。因为这个问题,三星逻辑设计部门正计划使用5纳米节点制造其下一代Exynos系列,或被称为Exynos 2300。

另一方面,高通的Snapdragon 8 Gen 2使用台积电的4纳米节点制造,这意味着与5纳米 Exynos 2300相比,它将具有更好的整体性能。因此三星被迫选择Snapdragon 8 Gen 2作为S23系列的主要AP,Exynos芯片改用于中端机型。

三星芯片负责人Kyung Kye-hyun在9月承认,与竞争对手台积电相比,该公司在5纳米和纳米节点的进度和良率方面落后。

此前据熟悉三星事务官员的说法,三星4纳米良率接近60%,能确保客户流入与增加获利能力。业内人士指出,三星4纳米制程扩展,代表三星接到客户订单。另外,三星扩产4纳米制程,加上抢先为全球第一个量产3纳米制程的优势,也有助拉近与台积电的差距。

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