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三星工厂意外停电至内存价格上涨

【搜狐IT消息】3月26日消息,韩国内存大厂三星京畿道器兴 厂区24日传出停电意外,使得今天包括标准型DRAM、入门型DRAM及NAND Flash等内存产品现货价全面大涨。

根据集邦科技调查,标准型动态随机存取内存的DDR3 1Gb品牌颗粒现货均价今天上涨2.46%,达3.08美元;DDR2 1Gb eTT均价也一举突破3美元关卡,达3.07美元,上涨3.43%。

入门型DRAM方面,DDR 512Mb颗粒现货均价达2.16美元,更大涨7.34%;DDR 256Mb颗粒现货均价为1.05美元,也上涨2.54%。

储存型闪存 部分,市场主流的16Gb MLC及32Gb MLC均价分别攀升至4.08美元及7.36美元,上涨3.34%及1.35%。

DRAM厂商表示,三星厂停电 1小时,对于产出影响应有限,因此今天内存产品价格走扬无法确定是因三星厂停电所带动;目前市场需求依然强劲,应是激励产品价格走高的主因之一。

Flsah 相关业者则指出,尽管三星停电实际所受冲击程度仍不明朗,不过,在目前市场需求热络下,三星传出停电意外,确实对于价格走势具正面效果。

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