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Intel美光交付业内尺寸最小容量最高的NAND闪存

Intel和美光近日宣布将利用25nm技术交付每单元储存3比特(3-bit-per-cell,3bps)的多层单元(MLC)NAND闪存。两家公司表示,新的闪存芯片将成为到目前为之业内容量最高、体积最小的NAND设备。目前这两家厂商已经将最初产品样本交给了选定的客户,预计在年底全面投产。

3bpc NAND闪存芯片主要用于闪存卡、USB驱动器和MP3播放器。两家厂商的固态盘将继续采用2bps和1bps NAND闪存。

去年8月,Intel和美光共同创建的合资公司IM Flash Technologies (IMFT)公布采用34nm工艺首次实现3bps NAND闪存技术,NAND闪存面积减少了11%。不过,由于可靠性等问题,IMFT选择中断3bps NAND闪存产品的生产。

接下来的今年1月,IMFT公布了业内首个25nm NAND闪存技术,一款2bps的MLC闪存。

这次推出的新NAND闪存是后面这两项技术的结合体。IMFT表示,他们最新64Gb 3bps内存芯片提供了更高的密度,进一步降低了NAND闪存的基本价格。

IMFT的25nm 8GB模片尺寸为0.35英寸×0.74英寸,包括多个小体积64Gb NAND芯片。使用这项NAND技术开发的产品所采用的芯片数是之前34nm技术的一半,实现了体积更小密度更高的设计。例如,一个256GB的固态盘可能采用32个8GB NAND闪存,而且不是64个;一个32GB智能手机仅需要4个这样的芯片;一个16GN闪存卡只需要2个。这一变化还削减了生产移动产品的成本。

该设备的体积要比Intel和美光现有相同容量的25nm MLC闪存小20%。

Intel NAND解决方案群组总经理Tom Rampone表示:“我们在今年1月推出业内最小的25nm芯片,然后马上迁移到25nm 3bps技术,未来我们将继续不断改进,为用户提供具有吸引力的领先产品。Intel计划利用IMFT在设计和制造方面的优势,基于新的8GB 25nm NAND设备为用户提供高密度、具有成本竞争力的产品。”

美光NAND解决方案群组副总裁Brian Shirley表示:“我们正在合作认证最终产品设计中的8GB TLC NAND闪存设备,包括来自Lexar Media和美光的高容量产品。”

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