关于 闪存 的文章
接近谷底!应用材料2019Q3 净利润暴跌44%

8月16日消息,半导体显示大厂应用材料发布了2019财年第三季度(截至7月28日)业绩报告,净利润同比暴跌44%,相比之前华尔街预期有稍许提升。

Q2季度闪存跌价高达25% 三星营收依然第一

Q2季度全球NAND闪存市场报告,当季营收为108亿美元,环比Q1季度持平,主要是当季中闪存价格依然下滑了15%到25%。

业界 2019-08-15
全球闪存厂2019Q2营收排名:三星第一东芝第二

今天,集邦咨询公布了全球闪存厂最新营收排名,三星第一,东芝第二,西部数据第三。

iQOO Pro 闪存性能曝光:连续读取超1500MB/s 随机读写超200MB/s

刚刚IQOO产品经理发布了iQOO Pro 闪存性能测试数据,数据显示iQOO Pro搭载UFS 3.0闪存,连续读取超1500MB/s,随机读写超200MB/s。

西数宣布闪存工厂断电事故已恢复生产 损失达3.4亿美元

西数公司今天宣布,6月中旬因为断电导致日本地区5座NAND闪存晶圆厂停产的事故基本上恢复运营,此次事件损失了大约6EB容量的NAND闪存,约合3.4亿美元。

亚马逊收购云存储厂商E8 要用闪存“让数据飞起来”

亚马逊也在通过并购继续做大云计算实力。据外媒最新消息,亚马逊日前收购了一家以色列云存储相关企业(名为“E8存储公司”),获得一些资产和员工。

三星酝酿对闪存芯片进行“报复性”涨价:幅度10%

消息称,三星将带头调整NAND Flash闪存芯片的价格,幅度10%左右。而美光早有此意,东芝工厂的停电也是为此做足了铺垫。

紫光投资2000亿在成都建3D闪存工厂:月产能将达30万片

紫光在四川产业布局宏大,总投资超2000亿元,建设周期需3年-5年,而紫光在成都建设的3D堆栈存储芯片工厂是最重要的投资项目。

日本强震致东芝五座工厂受影响,券商预估NAND Flash价格上扬

日系券商预估,上周日本强震导致东芝半导体三重县四日市五座工厂生产受影响,相关效应不容小觑。假设当时有五成晶片因停电受损,另有15%到20%的晶圆必须再重制,将影响全球NAND晶片供应量达2%到3%,如果恢复正常时间生产再延后,影响将可能加大。这将促使报价连跌逾八季的NAND Flash价格止跌,下半年出现反弹契机。

东芝:3D闪存工厂遭遇断电事故

根据日本经济新闻网的报道,东芝三日市工厂(三重县四日市)发生电力故障,一些生产线已关闭。四日市工厂是该公司生产用于数据存储的NAND闪存的主要基地,长时间停工可能会影响公司的供应结构。

东芝:3D闪存工厂遭遇断电事故 将尽快恢复生产

东芝公司宣布旗下3D NAND闪存工厂遭遇停电事故,闪存生产将受到影响,东芝表示将尽快恢复生产,不过目前尚无准确信息,无法评估这次断电事故会带来多大的影响,尤其是这次事故是否会影响NAND闪存价格走向。 由于NAND

一加7系列UFS 3.0闪存速度出炉:顺序读取1.4GB/s

不久前,外媒报道一加7 Pro手机将采用UFS 3.0存储,昨天晚间,一加科技CEO @刘作虎 在微博上确认,一加7系列将全部采用UFS3.0的闪存。现在一加官方公布了一加7的闪存测试结果,一起来看一下吧。

闪存产能出奇高 产业链预计SSD价格在2019年将大幅下跌

SSD的价格没有最低,只有更低。据Digitimes报道,产业链消息人士本周透露,NAND Flash闪存的价格在2019年将继续下滑,虽然今年已经累计榨干50%水分。

UFS 3.0闪存明年商用,三星S10或将首发

10月26日消息 在香港近日举办的4G/5G峰会上,三星透露将在2019年上半年推出UFS 3.0商用产品,2020年将商用LPDDR5内存。

闪存产能出奇高 产业链预计SSD价格在2019年将大幅下跌

SSD的价格没有最低,只有更低。据Digitimes报道,产业链消息人士本周透露,NAND Flash闪存的价格在2019年将继续下滑,虽然今年已经累计榨干50%水分。

NetApp公司高调公布闪存业务绩效

全闪存阵列目前占NetApp销售总额的14%,高于去年的10%。该公司乐观地预计,NAND价格的下跌将推动这一数字持续上涨。

Intel 660p固态硬盘发布:慧荣主控+QLC闪存

8月8日下午消息,Intel周二正式发布660p固态硬盘,是一款消费级QLC产品。

美国加州圣克拉拉会议中心, 2018年8月7日 - Aupera 科技发布一款基于ASIC方案的25GbE/100GbE 以太网硬件级NVMeoF 全闪存存储阵列,该系统利用硬件级的NVMeoF桥片及25GbE/100GbE的以太网交换矩阵,实现了通过NVMeoF网络无阻塞访问PCIe3.0 SSD的极限性能,特别易于横向扩展(Scale-Out),极大地方便了数据中心高性能存储系统的部署。

云计算 2018-08-08
SK海力士宣布业内首款4D闪存:512Gb TLC、年末出样

首先是3D NAND的技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

网易科技讯 7月26日消息,据国外媒体报道,亚洲内存芯片制造商的生产计划和前景将受到密切关注,本周这些制造商将开始陆续公布季度财报。此前,由于担心长达两年时间的行业繁荣超级周期可能会终结,这些公司股价大幅

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