IT之家 2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯
Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技术研讨会期间发布了面向台积电 3nm 工艺(N3E)的 112G 超长距离(112G-ELR)SerDes IP 展示,这是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列产品的新成员。
这两年,台积电、三星在先进工艺上你追我赶,下一步比拼的就是3nm、2nm。 三星此前已经宣布,3nm 3GAE低功耗版2022年初量产,3nm 3GAP高性能版2023年初量产,2nm 2GAP 2025年量产。 台积电CEO魏哲家最新公开表示,台
6月29日晚间消息,据外媒报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。 报道称,三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加
这几年,台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭,春风得意,能够追赶的也只有三星了,但是后者的工艺品质一直饱受质疑。 IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的