近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月,SK海力士还表示,正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。
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首先是3D NAND的技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。
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