【TechWeb】7月27日消息，据国外媒体报道，芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%，以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。 这家芯片制造商表示，它将削减主要内存产品的产量，专注于高密

继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后，另一家存储巨头也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%，以放缓产能扩张速度。 2019年2季度，SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%，主要原因是该公司增加了72 层3D NAND的产

【TechWeb】7月22日消息，据国外媒体报道，上周日，韩国存储芯片生产商SK海力士（SK Hynix）首席执行官（CEO）李锡熙（Lee Seok-hee ）前往日本，与日本供应商进行洽谈，以解决关键半导体原材料的供应问题。

据外媒报道，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。

北京时间7月22日早间消息，据外媒报道，韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙（Lee Seok-hee）周日飞往日本，解决原材料问题。

韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析师称，投资者押注因日本对韩国关键材料的出口限制，将会导致他们减产。

近日，SK海力士宣布，已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月，SK海力士还表示，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

全球第二大内存芯片制造商海力士公司周四（当地时间1月24日）公布第四季度财报，海力士当季盈利情况低于市场预期。

首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。

SK海力士今天宣布，将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂，满足内存芯片市场越发旺盛的需求。

腾讯科技讯 据外媒报道，韩国第二大芯片制造商SK海力士周四发布财报称，受益于DARM内存芯片和NAND闪存芯片需求强劲的推动，该公司第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元（约合38.4亿美元），同比增长75.4%。

【TechWeb】7月26消息，据路透社报道，韩国芯片制造商SK海力士今日公布了第二季度营业利润，创下新纪录，超出市场预期，这得益于存储芯片DRAM销售强劲。 SK海力士Q2营业利润大增83% DRAM芯片销售强劲 SK海力士是全

【TechWeb报道】6月5日消息，据路透社报道，知情人士透露，随着DRAM芯片价格大幅上涨，中国监管机构已展开对韩国三星电子、SK海力士(SK Hynix Inc.)以及美国美光科技(Micron Technology Inc.)展开调查。 中国监管机

【TechWeb报道】5月23日消息，据路透社报道，韩国芯片制造商SK海力士与英伟达达成协议，它将为后者供应芯片，这有助于SK海力士提升高价值芯片的销量。 受此消息影响，周三，SK海力士股价上涨超过5%，达9.4万韩元（

据路透社报道，韩国芯片制造商SK海力士与英伟达达成芯片供应协议，这有助于SK海力士提升高价值芯片销售量。

北京时间5月23日下午消息，据路透社报道，韩国芯片制造商SK海力士与英伟达达成芯片供应协议，这有助于SK海力士提升高价值芯片销售量。

【TechWeb报道】5月15日消息，据国外媒体报道，全球最大资产管理集团贝莱德（BlackRock）周一表示，该公司已增持韩国芯片巨头SK海力士股份至5.08%。 SK海力士芯片 以周一收盘价计算，贝莱德持有的SK海力士股份价值