关于 SK海力士 的文章
内存价格再跌16% SK海力士Q3季度净利暴跌89%

2019年10月24日,韩国SK海力士公司发布了Q3季度财报,当季营收6.839万亿韩元,同比下滑40%,环比增长6%,净利润4950亿韩元,环比下滑8%,同比暴跌89%。

内存价格再跌16% SK海力士Q3季度净利暴跌89%

在SK海力士的营收中,内存占比超过77%,但是Q3季度内存ASP均价跌了16%,出货位容量环比增长23%,而闪存ASP均价倒是涨了4%,不过出货量下降了1%,折抵之下就是Q3相比Q2季度增收但不增利。

韩国芯片巨头SK海力士三季度营业利润暴跌93%

韩国第二大芯片制造商SK海力士周四发布财报称,第三季度净利润从上年同期的4.692万亿韩元降至4954.8亿韩元,但仍好于市场预期。

继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。

继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。

SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片 年内完成批量生产

SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

三星海力士上半年芯片营收暴跌三分之一

半导体专业机构周三发布的一份报告显示,由于价格下跌等原因,韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士公司的全球芯片销售收入排名分别下滑至第二位和第四位。

净利润暴跌88% SK海力士计划今年削减15% 3D NAND闪存产能

【TechWeb】7月27日消息,据国外媒体报道,芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%,以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。 这家芯片制造商表示,它将削减主要内存产品的产量,专注于高密

净利润同比暴跌88%!SK海力士计划年内削减15% 3D NAND产能

继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,另一家存储巨头也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。 2019年2季度,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%,主要原因是该公司增加了72 层3D NAND的产

业界 2019-07-27
SK海力士CEO前往日本 解决关键半导体原材料供应问题

【TechWeb】7月22日消息,据国外媒体报道,上周日,韩国存储芯片生产商SK海力士(SK Hynix)首席执行官(CEO)李锡熙(Lee Seok-hee )前往日本,与日本供应商进行洽谈,以解决关键半导体原材料的供应问题。

海力士CEO前往日本 寻找芯片制造的关键材料

据外媒报道,韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本,寻找获得关键半导体资源的方法。

原材料供应吃紧 韩国SK海力士CEO赴日本探讨供应问题

北京时间7月22日早间消息,据外媒报道,韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙(Lee Seok-hee)周日飞往日本,解决原材料问题。

NAND闪存要涨价了?三星、SK海力士将减少NAND闪存产量

韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析师称,投资者押注因日本对韩国关键材料的出口限制,将会导致他们减产。

SK海力士4D闪存再突破:全球首个做到量产128层

近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月,SK海力士还表示,正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

【TechWeb】近日,SK海力士宣布将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10nm级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出,

【TechWeb】3月21日消息,据国外媒体报道,在美国芯片制造商美光科技发布内存市场将复苏的预测之后,韩国芯片巨头的股价在周四跳涨。 美光科技预测称,由于设备需求下降,内存市场供应过剩,内存市场将出现复苏。 截

【TechWeb】2月21日消息,据国外媒体报道,全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四表示,公司计划在2022年后投资120万亿韩元(约合1066.6亿美元)在韩国新建四座半导体晶圆厂。 SK海力士在一份声明中表示,该公司已提交

全球第二大内存芯片制造商海力士两年来首次利润下降

全球第二大内存芯片制造商海力士公司周四(当地时间1月24日)公布第四季度财报,海力士当季盈利情况低于市场预期。

SK海力士宣布业内首款4D闪存:512Gb TLC、年末出样

首先是3D NAND的技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

SK海力士新建5.3万平方米内存工厂:总投资额215亿元

SK海力士今天宣布,将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂,满足内存芯片市场越发旺盛的需求。

业界 2018-07-31

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