2019年10月24日，韩国SK海力士公司发布了Q3季度财报，当季营收6.839万亿韩元，同比下滑40%，环比增长6%，净利润4950亿韩元，环比下滑8%，同比暴跌89%。

在SK海力士的营收中，内存占比超过77%，但是Q3季度内存ASP均价跌了16%，出货位容量环比增长23%，而闪存ASP均价倒是涨了4%，不过出货量下降了1%，折抵之下就是Q3相比Q2季度增收但不增利。

韩国第二大芯片制造商SK海力士周四发布财报称，第三季度净利润从上年同期的4.692万亿韩元降至4954.8亿韩元，但仍好于市场预期。

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后，SK海力士也终于跟上队伍了。

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后，SK海力士也终于跟上队伍了。

SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM，据称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

半导体专业机构周三发布的一份报告显示，由于价格下跌等原因，韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士公司的全球芯片销售收入排名分别下滑至第二位和第四位。

【TechWeb】7月27日消息，据国外媒体报道，芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%，以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。 这家芯片制造商表示，它将削减主要内存产品的产量，专注于高密

继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后，另一家存储巨头也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%，以放缓产能扩张速度。 2019年2季度，SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%，主要原因是该公司增加了72 层3D NAND的产

【TechWeb】7月22日消息，据国外媒体报道，上周日，韩国存储芯片生产商SK海力士（SK Hynix）首席执行官（CEO）李锡熙（Lee Seok-hee ）前往日本，与日本供应商进行洽谈，以解决关键半导体原材料的供应问题。

据外媒报道，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。

北京时间7月22日早间消息，据外媒报道，韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙（Lee Seok-hee）周日飞往日本，解决原材料问题。

韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析师称，投资者押注因日本对韩国关键材料的出口限制，将会导致他们减产。

近日，SK海力士宣布，已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月，SK海力士还表示，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

全球第二大内存芯片制造商海力士公司周四（当地时间1月24日）公布第四季度财报，海力士当季盈利情况低于市场预期。

首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。

SK海力士今天宣布，将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂，满足内存芯片市场越发旺盛的需求。