关于 晶圆 的文章
可生产1.5纳米芯片 CEO基辛格称英特尔德国晶圆厂全球最先进

IT之家 1 月 19 日消息,英特尔首席执行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)近日表示,该公司位于德国马格德堡市附近的工厂不仅要成为欧洲最先进的半导体生产设施,更是全球最先进的。基辛格在瑞士达沃斯世界经济论坛上

业界 2024-01-19
一片晶圆成本3万美元,报告称2nm芯片制造成本增加50%

12 月 23 日消息,对于半导体器件制造商来说,维持摩尔定律变得越来越困难和昂贵。

业界 2023-12-23

8月11日消息,国内最大的晶圆代工厂中芯国际日前发布了2季度财报,营收15.6亿美元,同比下降18%;公司拥有人应占利润4.03亿美元,同比下降21.7%,环比大增74.3%。中芯国际管理层解释说,2季度12英寸产能需求相对饱满

Rapidus将在北海道千岁市建设日本首座2nm晶圆厂

今日,日本半导体制造商Rapidus宣布,它已选择北海道千岁市作为其新的先进半导体工厂的建设地点。

受三星电子SK海力士减少进口影响 韩国自日本进口晶圆同比大减

三星电子和SK海力士的库存在迅速增加,目前的库存水平已超过20周,远高于他们通常的5-6周。

去年全球硅晶圆出货量与销售额双双创下新高 出货超过147亿平方英寸

在过去的10年里,硅晶圆的出货量有9年同比增长,仅2019年有下滑。

快速追赶台积电!日本晶圆代工企业Rapidus将于2025年试产2nm工艺

1月26日,据日经新闻报道,日本半导体企业Rapidus计划最早在2025年上半年之前建立2纳米半导体试产线,并最快于2027年实现量产,以尽快追上台积电等世界级半导体厂商的步伐,而后者计划将于2025年量产2nm制程工艺。Ra

半导体市况持续疲软,IC设计厂度小月,上游的晶圆代工业者有不少已愿意共体时艰,在今年下半年陆续小幅降价。而在即将进入明年之际,有更多IC设计台厂证实,明年首季已获晶圆代工厂针对成熟制程降价,幅度依照产品与

环球晶圆大尺寸及特种晶圆仍在满负荷生产 计划扩产

环球晶圆大尺寸和特种晶圆都处于满负荷生产状态,也就意味着他们的客户依旧有强劲的需求。

铠侠从今年10月开始将其晶圆产量减少约30%

10月9日消息, 近日铠侠株式会社发布了关于闪存生产调整的通知,铠侠宣布对四日市和北上闪存工厂进行生产调整。

业界 2022-10-09
德州仪器(TI)位于美国德州理查森的新12英寸晶圆厂开始初步投产

德州仪器(TI)位于美国德州理查森的最新的12英寸晶圆厂已开始了初步投产,并将在未来几个月扩大规模。

台积电回应“明年 1 月晶圆代工涨价”传闻:不评论价格问题

8 月 26 日消息,据台媒中央社报道,针对“明年 1 月晶圆代工涨价”的传闻,台积电今日上午回应称,不评论价格问题。此前,有消息称台积电因应通货膨胀、成本上扬,明年 1 月起将续调涨晶圆代工价格,先进制程平均调

业界 2022-08-26
谈谈没量产的18吋晶圆

多少年来,半导体业以遵循摩尔定律的技术发展为首要原动力。

观点 2022-08-15
慈星股份:武汉敏声和北京赛微电子共建产线事项计划今年年底实现量产通线

7月14日电,慈星股份在互动平台表示,武汉敏声和北京赛微电子共建产线事项,目前所需设备已下单并交付定金,6月中旬设备将陆续到位,计划今年年底实现量产通线。 原计划6月底前完成的200片晶圆试产,因今年春节后受

集邦咨询:2023年晶圆代工产能年增长率将收窄至8%

当地时间周三,集邦咨询表示,由于受到半导体设备再次面临交货期延长的拖累,2023年晶圆代工产能年增长率将收窄至8%。

业内人士预计2024-2025年将是晶圆代工高峰 届时芯片产能恐将过剩

据电子时报,有晶圆代工业者表示,晶圆代工、IDM 厂新产能将于 2023 年起放量,2024、2025 年将会是量能高峰。

机构预计今年全球晶圆厂产能增速略高于去年 将有10座12英寸晶圆厂投产

今年全球晶圆厂的产能利用率仍将超过90%,预计为93%。

盛美上海18腔300mm Ultra C VI单晶圆清洗设备投入量产

该设备于2020年第二季度首次推出,目前已在中国一家主流存储芯片制造商的生产线上获得验证并进入量产。

环球晶圆将新建 12 吋晶圆厂,并购失败不减其扩产步伐

3月15日,环球晶圆召开董事会,并于会上对外披露2021年财报。 根据财报中公布数据,环球晶圆在2021年的营收成功突破600亿新台币,达到611.3亿新台币,同比增长10.4%。其中,营业毛利率为232.9亿新台币,营业毛利率

Soitec 宣布在法国贝宁增设生产线,用于生产创新型碳化硅晶圆,以提升 SOI 综合供应能力 创新型碳化硅材料助推电动汽车及能源市场创新突破 - 新产线将助力提升公司总体产能,并在后期主要用于 SmartSiC™ 衬底生

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