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SK海力士CEO:未来十年将研发10nm以下工艺DRAM和600层NAND

【TechWeb】3月25消息,据国外媒体报道,SK海力士是全球重要的存储芯片制造商,他们在去年10月份同英特尔达成了协议,将以90亿美元收购英特尔大部分的NAND闪存及存储业务,收购之后就将超过日本的Kioxia,成为仅次于三星的全球第二大NAND闪存制造商,并会缩小与三星的差距。

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除了通过收购扩大规模、获得知识产权及研发人员,SK海力士也在致力于研发更先进的DRAM和NAND产品。

韩国媒体的报道显示,在2021年IEEE(电气电子工程师学会)国际可靠性物理研讨会上发表演讲时,SK海力士CEO李锡熙(Lee Seok-Hee)就表示,在未来十年,他们将致力于克服材料、结构和可靠性方面的挑战,开发10nm以下工艺的DRAM和600堆叠层的NAND。

在报道中,韩国媒体表示,研发10nm以下工艺的DRAM,要求SK海力士等半导体厂商,克服光刻技术方面的挑战。

在NAND方面,SK海力士已经研发出了176层堆叠的3D NAND。

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