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外媒称台积电2nm制程工艺研发已取得重大进展 预计明年年中风险试产

【TechWeb】6月13日消息,据国外媒体报道,在推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电,在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展,预计在明年年中就将开始风险试产。

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风险试产,也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。外媒在报道中也提到,在风险试产一年之后,台积电的这一制程工艺预计就将大规模量产。

从外媒的报道来看,台积电正在研发之中的2nm制程工艺,在风险试产时,良品率就会相当可观。外媒间流传的一份未注明来源的声明显示,台积电方面预计2nm制程工艺的良品率,在风险试产的2023年就将达到惊人的90%。

外媒在报道中提到,如果2nm工艺的良品率在风险试产期间就达到了90%,台积电就能很好的改进这一工艺,并推动在2024年大规模量产。

台积电正在推进的2nm制程工艺,在晶体管的架构方面将会有变化,不会继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET),而会采用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,也就是三星电子从3nm制程工艺就开始采用的晶体管架构,他们在去年4月份就已宣布,3nm制程工艺将采用多桥通道场效电晶体架构设计。

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