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台积电CEO称3nm工艺量产正按计划推进 第二代1年后量产

【TechWeb】7月15日消息,据国外媒体报道,三星电子6月30日在官网宣布,他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺,已在当日开始初步生产芯片。

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而在三星电子的3nm制程工艺开始初步生产芯片之后,台积电3nm制程工艺的量产进展,也就备受关注,台积电的CEO魏哲家,在周四下午的财报分析师电话会议上,也给出了回应。

台积电公布的文件显示,在周四下午的财报分析师电话会议上,魏哲家透露他们在按计划推进3nm工艺在下半年以可观的良品率量产。

另外,魏哲家在会上还表示,他们预计3nm制程工艺在明年上半年就会为他们带来营收,在高性能计算和智能手机应用的推动下,产能在明年将平稳提升。

同此前已量产的7nm和5nm一样,台积电的3nm工艺也会有第二代(N3E)。魏哲家在财报分析师电话会议上也透露,他们的N3E工艺,将进一步扩展他们的3nm工艺家族,性能、功耗和良品率将进一步提升,计划在3nm工艺量产一年后量产。

在3nm制程工艺上,台积电和三星电子是不同的路线。三星电子的3nm制程工艺,率先采用全环绕栅极晶体管架构,台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。

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