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外媒:三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产

【TechWeb】8月17日消息,据国外媒体报道,当前全球最大的存储芯片制造商三星电子,预计会在年内开始生产236层NAND闪存。

三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产,是由韩国媒体率先开始报道的。

韩国媒体在报道中还表示,三星目前量产的NAND闪存,最高是176层,在236层的产品量产之后,三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。

从韩国媒体的报道来看,三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示,三星电子目前在全球NAND闪存市场的份额约为35%。将层数增加60层后,他们计划凭借生产技术、价格及性能上的竞争优势,增加市场份额。

在全球NAND闪存市场上,主要厂商之间的竞争也较为激烈,都在研发性能更强的产品。SK海力士8月2日就在官网宣布,他们已经研发出了238层512Gb TLC 4D NAND,预计在明年上半年开始量产。美光科技此前也已宣布,他们完成了232层NAND闪存的研发。

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