上周有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示，中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。

FinFET（鳍式场效应晶体管）在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术，台积电甚至打算一路用到3nm时代。

目前，12LP+已经在AI训练芯片领域通过了IP验证，可减少生产成本、创造更大价值。

中芯国际表示，为加强在先进制程方面的技术实力，公司不断加大先进制程的研发投入，相继实现了28nm HKC+工艺、第一代 14nm FinFET工艺的研发和量产，第二代14nm FinFET工艺的研发也在稳健进行中，并不断拓展成熟工艺应用平台，因此公司研发费用率高于可比上市公司。

有媒体援引知情人士的话称，中芯国际（SMIC）已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产，且计划年底前进行12nm FinFET的风险试产。

中芯国际发布了2018年第二季度财报数据，营收净利润获得双增长，同时中芯国际披露其14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。财报发布后的首个交易日，中芯国际股价大涨7.2%，收盘报6.37美元。

10月17日消息，据国外媒体报道，三星今天宣布已经开始批量生产具有10纳米FinFET技术的SoC芯片，将成为业界率先实现这一突破的公司，这也是继2015年1月成功批量生产业界第一款FinFET移动应用处理器之后的成果。